Silicio con postcombustión

Ley de Moore, sugerida por el co-fundador de Intel Gordon Moore en 1965, dijo que el número de transistores que se pueden colocar en un circuito integrado se duplica cada dos años. Pero incluso Moore ha dicho que la ley no puede sostenerse indefinidamente.

El reto es pasar de los límites del dopaje, un proceso que ha sido esencial para crear el sustrato de silicio que se encuentra en el corazón de todos los circuitos integrados modernos, dijo James Tour, Chao Rice, Profesor de Química y profesor de ingeniería mecánica y ciencias de los materiales y de la informática.

El dopaje introduce impurezas en el silicio cristalino, puro como un modo de sintonización de circuitos microscópicos a una necesidad concreta, y ha sido eficaz hasta la fecha, incluso en concentraciones tan pequeñas como un átomo de boro, arsénico o fósforo por cada 100 millones de silicio.

Silicio con postcombustión
Pero como los fabricantes de incluir más transistores en circuitos integrados, haciendo los circuitos cada vez más pequeño, el dopaje se problemático.

Título: Silicon With Afterburners: New Process Could Be Boon To Electronics Manufacturer
Fuente original (en inglés): sciencedaily.com
Crédito de la imagen (editada) cortesía de: courtesy of Rice University


Traducido por: electronica2000.com (disculpas por errores que puedan haber en la traducción).

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